技术参数/电源电压(DC): 4.50V (min)
技术参数/工作电压: 36.0V (max)
技术参数/额定功率: 25 W
技术参数/输出接口数: 1
技术参数/输入电压(DC): 5.50 V
技术参数/输出电流: 6 A
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 25 W
技术参数/产品系列: IPS1021
技术参数/连续漏极电流(Ids): 6.00 A
技术参数/输出电流(Max): 13.5 A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/电源电压: 4.5V ~ 5.5V
技术参数/输入电压: 4.5V ~ 5.5V
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
VNP10N07-E
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS VNP10N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 70 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
|
||
VNP20N07-E
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS VNP20N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 80 V, 50 mohm, 10 V, 3 V
|
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