技术参数/电源电压(DC): 5.00 V, 5.25 V (max)
技术参数/时钟频率: 200 GHz
技术参数/存取时间: 200 ns
技术参数/内存容量: 16000 B
技术参数/电源电压: 4.75V ~ 5.25V
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 24
封装参数/封装: DIP-24
外形尺寸/封装: DIP-24
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 85℃ (TA)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
DS1220AB-200+
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Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) | 类似代替 | 720 EMOD |
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AB-200+ 芯片, 存储器, NVRAM
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DS1220AB-200IND+
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Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) | 类似代替 | DIP |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24
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DS1220AD-200+
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Maxim Integrated (美信) | 功能相似 | EDIP-24 |
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AD-200+ 芯片, 存储器, NVRAM
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DS1220AD-200+
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Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) | 功能相似 | eDIP |
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AD-200+ 芯片, 存储器, NVRAM
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