技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 150 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 8 W
技术参数/阈值电压: 3 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 55 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 5.50 A
技术参数/输入电容(Ciss): 170pF @25V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 8 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-223
外形尺寸/长度: 6.7 mm
外形尺寸/宽度: 3.7 mm
外形尺寸/高度: 1.7 mm
外形尺寸/封装: SOT-223
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
其他/制造应用: Automation & Process Control, Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BUK78150-55A,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | TO-261-4 |
SC-73 N-CH 55V 5.5A
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PHT6N06LT
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Philips (飞利浦) | 类似代替 |
NXP PHT6N06LT 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 5 V, 1.5 V
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PHT6N06LT
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-223 |
NXP PHT6N06LT 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 5 V, 1.5 V
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ETC | 类似代替 |
NXP PHT6N06T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 10 V, 3 V
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PHT6N06T
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-223 |
NXP PHT6N06T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 10 V, 3 V
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PHT6N06T
|
Philips (飞利浦) | 类似代替 | SOT-223 |
NXP PHT6N06T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 10 V, 3 V
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-223-3 |
Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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