技术参数/针脚数: 3
技术参数/正向电压: 600 mV
技术参数/正向电流: 30 mA
技术参数/正向电压(Max): 350 mV
技术参数/正向电流(Max): 30 mA
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-23
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
其他/制造应用: Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Siemens Semiconductor (西门子) | 类似代替 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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Philips (飞利浦) | 类似代替 | TO-236 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAT17
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAT17
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Nexperia (安世) | 类似代替 | TO-236 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAT17
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | SOD |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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MMBD301LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBD301LT1G. 肖特基二极管
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