技术参数/额定电压(DC): 600 V
技术参数/额定电流: 47.0 A
技术参数/耗散功率: 520 W
技术参数/输入电容: 6.71 nF
技术参数/栅电荷: 150 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 47.0 A
技术参数/上升时间: 17 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 6710pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 10 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 520000 mW
封装参数/安装方式: Screw
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: SOT-227
外形尺寸/封装: SOT-227
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
APT6010JLL
|
Microsemi (美高森美) | 完全替代 | SOT-227 |
功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
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