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型号: APT50M85JVFR
描述: 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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封 装: SOT-227
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包装方式: Tube
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技术参数/额定电压(DC): 500 V

技术参数/额定电流: 50.0 A

技术参数/输入电容: 10.8 nF

技术参数/栅电荷: 535 nC

技术参数/漏源极电压(Vds): 500 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 50.0 A

技术参数/上升时间: 17 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 9000pF @25V(Vds)

技术参数/下降时间: 7 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 500000 mW

封装参数/安装方式: Screw

封装参数/引脚数: 4

封装参数/封装: SOT-227

外形尺寸/封装: SOT-227

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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