技术参数/耗散功率: 30 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/上升时间: 100 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1750pF @10V(Vds)
技术参数/下降时间: 140 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 30000 mW
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220
外形尺寸/封装: TO-220
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2SJ349
|
Toshiba (东芝) | 类似代替 | TO-220 |
TO-220NIS P-CH 60V 20A
|
||
2SJ504
|
Renesas Electronics (瑞萨电子) | 完全替代 | TO-220 |
硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET
|
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