技术参数/额定电压(DC): 25.0 V
技术参数/额定电流: 10.0 mA
技术参数/击穿电压: -25.0 V|25 V
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 625 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 25.0 V
技术参数/栅源击穿电压: 25 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 3.00 mA
技术参数/输入电容(Ciss): 7pF @15V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N5457
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-92-3 |
N沟道通用放大器 N-Channel General Purpose Amplifier
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2N5457
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Freescale (飞思卡尔) | 功能相似 |
N沟道通用放大器 N-Channel General Purpose Amplifier
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2N5457
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New Jersey Semiconductor | 功能相似 |
N沟道通用放大器 N-Channel General Purpose Amplifier
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2N5457
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Calogic | 功能相似 |
N沟道通用放大器 N-Channel General Purpose Amplifier
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2N5457
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-226-3 |
N沟道通用放大器 N-Channel General Purpose Amplifier
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2N5457
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Major Brands | 功能相似 | TO-92 |
N沟道通用放大器 N-Channel General Purpose Amplifier
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2N5457G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
JFET的 - 通用型N沟道 - 耗尽 JFETs − General Purpose N−Channel − Depletion
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2N5457_D27Z
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-92-3 |
JFET N-CH 25V 625mW TO92
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2N5457_D27Z
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-226-3 |
JFET N-CH 25V 625mW TO92
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2N5457_D74Z
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-226-3 |
JFET N-CH 25V 625mW TO92
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2N5457_D74Z
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-92-3 |
JFET N-CH 25V 625mW TO92
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