技术参数/电源电压(DC): 5.00V (min)
技术参数/输出电流: 200 nA
技术参数/供电电流: 4.3 mA
技术参数/电路数: 2
技术参数/通道数: 2
技术参数/针脚数: 14
技术参数/耗散功率: 830 mW
技术参数/静态电流: 8.00 mA
技术参数/热阻: 105 ℃/W
技术参数/输入补偿电压: 4 mV
技术参数/输入偏置电流: 500 nA
技术参数/工作温度(Max): 105 ℃
技术参数/工作温度(Min): -45 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 830 mW
技术参数/电源电压: 5V ~ 15V
技术参数/电源电压(Max): 15 V
技术参数/电源电压(Min): 5 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 14
封装参数/封装: SOIC-14
外形尺寸/长度: 8.75 mm
外形尺寸/宽度: 4 mm
外形尺寸/高度: 1.65 mm
外形尺寸/封装: SOIC-14
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 105℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
LM219D
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | SOIC-14 |
STMICROELECTRONICS LM219D 模拟比较器, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 ± 15V, SOIC, 14 引脚
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LM219D
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOP |
STMICROELECTRONICS LM219D 模拟比较器, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 ± 15V, SOIC, 14 引脚
|
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LM319M/NOPB
|
National Semiconductor (美国国家半导体) | 功能相似 | SOIC-14 |
TEXAS INSTRUMENTS LM319M/NOPB 模拟比较器, 双路, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 36V, SOIC, 14 引脚
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LM319M/NOPB
|
TI (德州仪器) | 功能相似 | SOIC-14 |
TEXAS INSTRUMENTS LM319M/NOPB 模拟比较器, 双路, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 36V, SOIC, 14 引脚
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LM319M/NOPB
|
Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | SOIC |
TEXAS INSTRUMENTS LM319M/NOPB 模拟比较器, 双路, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 36V, SOIC, 14 引脚
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LM319MX/NOPB
|
National Semiconductor (美国国家半导体) | 功能相似 | SOIC |
TEXAS INSTRUMENTS LM319MX/NOPB 模拟比较器, 双路, 高速, 2, 80 ns, 5V 至 36V, SOIC, 14 引脚
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