技术参数/漏源极电阻: 0.3 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 75 W
技术参数/阈值电压: 2 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/漏源击穿电压: 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 10.5 A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220
外形尺寸/封装: TO-220
其他/产品生命周期: Active
其他/制造应用: Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/HTS代码: 85412900951
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FS70UMJ-06F
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 功能相似 | TO-220 |
高速开关用N沟道功率MOS FET High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
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STP10P6F6
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
P沟道60 V ， 0.15 I© （典型值） ， 10 A STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用DPAK和TO- 220封装 P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFET⢠VI DeepGATE⢠Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages
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SUP75N06-08
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220 |
MOSFET 60V 75A 250W
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SUP75N06-08
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Visay | 功能相似 |
MOSFET 60V 75A 250W
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