技术参数/额定电压(DC): 100 V
技术参数/额定电流: 3.00 A
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 12.5 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 40 V
技术参数/集电极最大允许电流: 3A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 50
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 250
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 12500 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-225
外形尺寸/封装: TO-225
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Box
其他/最小包装: 500
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MJE181G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-126-3 |
ON SEMICONDUCTOR MJE181G. 射频双极晶体管
|
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MJE182
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | 3 |
t-Npn Si- Af Po
|
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MJE182
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-225 |
t-Npn Si- Af Po
|
||
|
|
NTE Electronics | 功能相似 |
t-Npn Si- Af Po
|
|||
MJE182
|
Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 |
t-Npn Si- Af Po
|
|||
MJE182
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-126-3 |
t-Npn Si- Af Po
|
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|
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-126 |
TO-126 NPN 80V 3A
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MJE182STU
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-126-3 |
ON Semiconductor MJE182STU , NPN 晶体管, 3 A, Vce=80 V, HFE:12, 0.1 MHz, 3引脚 TO-126封装
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MJE270G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-225-3 |
MJE 系列 100 V 2 A NPN 互补 硅 功率晶体管 - TO-225
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