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描述: MICROCHIP SST39VF040-70-4C-NHE. 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 1 kHz, LCC, 32 引脚
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封 装: PLCC-32
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技术参数/电源电压(DC): 2.70V (min)

技术参数/工作电压: 2.7V ~ 3.6V

技术参数/供电电流: 20 mA

技术参数/针脚数: 32

技术参数/时钟频率: 1 kHz

技术参数/位数: 8

技术参数/存取时间: 70 ns

技术参数/内存容量: 500000 B

技术参数/存取时间(Max): 70 ns

技术参数/工作温度(Max): 70 ℃

技术参数/工作温度(Min): 0 ℃

技术参数/电源电压: 2.7V ~ 3.6V

技术参数/电源电压(Max): 3.6 V

技术参数/电源电压(Min): 2.7 V

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 32

封装参数/封装: PLCC-32

外形尺寸/长度: 11.51 mm

外形尺寸/宽度: 14.05 mm

外形尺寸/高度: 2.84 mm

外形尺寸/封装: PLCC-32

物理参数/工作温度: 0℃ ~ 70℃

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Each

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

海关信息/ECCN代码: 3A991.b.1.a

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
SST39SF040-70-4C-NHE SST39SF040-70-4C-NHE Microchip (微芯) 类似代替 PLCC-32
MICROCHIP SST39SF040-70-4C-NHE 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚
SST39SF040-70-4I-NHE SST39SF040-70-4I-NHE Silicon Strorage Technology 类似代替 PLCC-32
MICROCHIP SST39SF040-70-4I-NHE 闪存, 或非, 4 Mbit, 512K x 8位, LCC, 32 引脚
SST39VF040-70-4I-NHE SST39VF040-70-4I-NHE Silicon Strorage Technology 类似代替
MICROCHIP SST39VF040-70-4I-NHE 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚
SST39VF040-70-4I-NHE SST39VF040-70-4I-NHE Microchip (微芯) 类似代替 PLCC-32
MICROCHIP SST39VF040-70-4I-NHE 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚
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