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型号: NTE221
描述: Trans RF MOSFET N-CH 20V 4Pin TO-72
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封 装: TO-18
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技术参数/极性: Dual N-Channel

技术参数/耗散功率: 400 mW

技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V

技术参数/漏源击穿电压: 20.0 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 18.0 mA

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 400 mW

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 4

封装参数/封装: TO-18

外形尺寸/高度: 4.82 mm

外形尺寸/封装: TO-18

物理参数/工作温度: -65℃ ~ 175℃

其他/产品生命周期: Obsolete

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

海关信息/HTS代码: 85412100959

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