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型号： NTE2389

描述： NTE ELECTRONICS NTE2389 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 35A, TO-220

品牌： NTE Electronics

封装： TO-220

货期：

包装方式：

标准包装数： 1

5+:

￥ 34.7747

50+:

￥ 33.2886

200+:

￥ 32.4564

500+:

￥ 32.2484

1000+:

￥ 32.0403

2500+:

￥ 31.8025

5000+:

￥ 31.6539

7500+:

￥ 31.5053

价格	￥ 34.7747	￥ 33.2886	￥ 32.4564	￥ 32.2484	￥ 32.0403
起批量	5+	50+	200+	500+	1000+

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

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技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 45 mΩ

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 125 W

技术参数/阈值电压: 3 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V

技术参数/漏源击穿电压: 60 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 35.0 A

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-220

外形尺寸/封装: TO-220

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃

其他/产品生命周期: Active

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

海关信息/ECCN代码: EAR99

海关信息/HTS代码: 85412900951

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