技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/上升时间: 270 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 4100pF @10V(Vds)
技术参数/下降时间: 360 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 125000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-3
外形尺寸/封装: TO-3
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 |
|---|
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