技术参数/电源电压(DC): 5.00 V, 5.25 V (max)
技术参数/时钟频率: 70.0 GHz
技术参数/存取时间: 70 ns
技术参数/内存容量: 125000 B
技术参数/工作温度(Max): 70 ℃
技术参数/工作温度(Min): 0 ℃
技术参数/电源电压: 4.75V ~ 5.25V
技术参数/电源电压(Max): 5.25 V
技术参数/电源电压(Min): 4.75 V
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 32
封装参数/封装: DIP-32
外形尺寸/长度: 43.69 mm
外形尺寸/宽度: 18.8 mm
外形尺寸/高度: 9.4 mm
外形尺寸/封装: DIP-32
物理参数/工作温度: 0℃ ~ 70℃ (TA)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
DS1245AB-70+
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Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) | 完全替代 | DIP |
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245AB-70+ 芯片, 存储器, NVRAM
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DS1245AB-70+
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Maxim Integrated (美信) | 完全替代 | DIP-32 |
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245AB-70+ 芯片, 存储器, NVRAM
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Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) | 类似代替 | DIP |
RAM，Maxim Integrated ### SRAM（静态随机存取存储器）
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DS1245AB-70IND+
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Maxim Integrated (美信) | 类似代替 | DIP-32 |
RAM，Maxim Integrated ### SRAM（静态随机存取存储器）
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DS1245Y-70+
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Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) | 类似代替 | DIP |
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-70+ 芯片, 存储器, NVSRAM, 1024KB, 128KX8, 32EDIP
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