技术参数/频率: 50 MHz
技术参数/耗散功率: 0.625 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 50 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 |
达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon
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BC618
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-54 |
达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon
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Nexperia (安世) | 类似代替 |
达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon
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BC618
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Philips (飞利浦) | 类似代替 | SPT |
达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon
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BC618
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon
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BC618G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon
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BC618RL1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon
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