技术参数/针脚数: 4
技术参数/正向电压: 1 V
技术参数/耗散功率: 16000 mW
技术参数/热阻: 18 ℃/W
技术参数/正向电流: 8 A
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 200 A
技术参数/正向电压(Max): 1V @8A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 16000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: SIP-4
外形尺寸/长度: 22.3 mm
外形尺寸/宽度: 18.8 mm
外形尺寸/高度: 3.56 mm
外形尺寸/封装: SIP-4
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: 电源管理, 电源整流
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
GBU805
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Luguang Electronic | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR GBU805 二极管 桥式整流, 玻璃钝化, 单相, 600 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 引脚
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GBU805
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Compact | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR GBU805 二极管 桥式整流, 玻璃钝化, 单相, 600 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 引脚
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GBU806
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Good-Ark Electronics (固锝) | 功能相似 | GBU |
GBU806 系列 8 A 600 V 桥式整流器 通孔 - GBU-4
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Continental Device | 功能相似 |
GBU806 系列 8 A 600 V 桥式整流器 通孔 - GBU-4
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Luguang Electronic | 功能相似 |
GBU806 系列 8 A 600 V 桥式整流器 通孔 - GBU-4
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GBU806
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | SIP |
GBU806 系列 8 A 600 V 桥式整流器 通孔 - GBU-4
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GBU8J
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SIP-4 |
ON Semiconductor GBU8J 单相 整流桥, 8A 600V, 4引脚 GBU 4L封装
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GBU8J
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SIP-4 |
ON Semiconductor GBU8J 单相 整流桥, 8A 600V, 4引脚 GBU 4L封装
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GBU8J
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Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 | GBU |
ON Semiconductor GBU8J 单相 整流桥, 8A 600V, 4引脚 GBU 4L封装
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GBU8J
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SIP-4 |
ON Semiconductor GBU8J 单相 整流桥, 8A 600V, 4引脚 GBU 4L封装
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GBU8J
|
American Semiconductor | 功能相似 |
ON Semiconductor GBU8J 单相 整流桥, 8A 600V, 4引脚 GBU 4L封装
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GBU8J
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Diotec Semiconductor | 功能相似 |
ON Semiconductor GBU8J 单相 整流桥, 8A 600V, 4引脚 GBU 4L封装
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GBU8J
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Gulfsemi | 功能相似 |
ON Semiconductor GBU8J 单相 整流桥, 8A 600V, 4引脚 GBU 4L封装
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GBU8J
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Good-Ark Electronics (固锝) | 功能相似 | GBU |
ON Semiconductor GBU8J 单相 整流桥, 8A 600V, 4引脚 GBU 4L封装
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GBU8J
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GeneSiC Semiconductor | 功能相似 | SIP-4 |
ON Semiconductor GBU8J 单相 整流桥, 8A 600V, 4引脚 GBU 4L封装
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GBU8J-BP
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 | SIP-4 |
GBU 系列 600 V 8 A 通孔 玻璃钝化 桥式 整流器 - GBU-4
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EIC | 类似代替 | 4 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 600V V(RRM), Silicon, 23.50 X 5.7MM, 19.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 600V V(RRM), Silicon, 23.50 X 5.7MM, 19.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
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KBU8J
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American Semiconductor | 类似代替 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 600V V(RRM), Silicon, 23.50 X 5.7MM, 19.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
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KBU8J
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Diotec Semiconductor | 类似代替 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 600V V(RRM), Silicon, 23.50 X 5.7MM, 19.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
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KBU8J
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GeneSiC Semiconductor | 类似代替 | SIP-4 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 600V V(RRM), Silicon, 23.50 X 5.7MM, 19.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
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KBU8J
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SIP-4 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 600V V(RRM), Silicon, 23.50 X 5.7MM, 19.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
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KBU8J
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SIP-4 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 600V V(RRM), Silicon, 23.50 X 5.7MM, 19.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
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KBU8J-E4/51
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VISHAY (威世) | 功能相似 | SIP-4 |
VISHAY KBU8J-E4/51. 二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 引脚
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