技术参数/频率: 80 MHz
技术参数/针脚数: 6
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 600 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 45 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 160 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 600 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 160
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 600 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SC-74-6
外形尺寸/封装: SC-74-6
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC807-25W
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-323 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
|
||
|
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-323-3 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
|
||
|
|
Panjit (强茂) | 功能相似 | SOT-323 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
|
||
BC807-25W
|
Diotec Semiconductor | 功能相似 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
|
|||
|
|
Diotec Semiconductor | 功能相似 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
|
|||
BC807W
|
CJ (长电科技) | 功能相似 | SOT-323 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
|
||
BSP41,115
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | TO-261-4 |
NXP BSP41,115 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 1.3 W, 1 A, 100 hFE
|
||
BSP41,115
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | TO-261-4 |
NXP BSP41,115 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 1.3 W, 1 A, 100 hFE
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价