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型号: 2SK1341-E
描述: 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
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封 装: TO-3-3
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包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/耗散功率: 100W (Tc)

技术参数/漏源极电压(Vds): 900 V

技术参数/上升时间: 80 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 980pF @10V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 100 W

技术参数/下降时间: 100 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 100W (Tc)

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-3-3

外形尺寸/封装: TO-3-3

物理参数/材质: Silicon

物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2SK1341 2SK1341 HITACHI (日立) 类似代替 TO-3
硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
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