技术参数/耗散功率: 0.8 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 250 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @20mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 800 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 800 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-205
外形尺寸/封装: TO-205
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准:
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N3440
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-205 |
TRANS NPN 250V TO-39
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2N3440
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | TO-205 |
TRANS NPN 250V TO-39
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Harris | 功能相似 |
TRANS NPN 250V TO-39
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|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-205 |
TRANS NPN 250V TO-39
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2N3440
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NTE Electronics | 功能相似 |
TRANS NPN 250V TO-39
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JANTX2N3440
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Solitron Devices | 功能相似 | TO-5 |
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3Pin TO-39
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Microchip (微芯) | 完全替代 | Bulk |
JANTXV Series 250V 1A Through Hole NPN Low Power Silicon Transistor - TO-39
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JANTXV2N3440
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-39 |
JANTXV Series 250V 1A Through Hole NPN Low Power Silicon Transistor - TO-39
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