技术参数/额定电压(DC): 30.0 V
技术参数/额定电流: 30.0 A
技术参数/极性: N-CH
技术参数/漏源极电压(Vds): 30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 30.0 A
技术参数/上升时间: 20 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1730pF @10V(Vds)
技术参数/下降时间: 4 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 5
封装参数/封装: LFPAK
外形尺寸/封装: LFPAK
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDS7096N3
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOIC-8 |
30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
||
HAT2168H-EL-E
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 类似代替 | SOT-669 |
硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
|
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