技术参数/频率： | 400 MHz |
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技术参数/额定电压(DC)： | 65.0 V |
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技术参数/额定电流： | 900 mA |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 21.9 W |
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技术参数/输入电容： | 8.50 pF |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 65.0 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 65.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 900 mA |
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技术参数/输出功率： | 5 W |
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技术参数/增益： | 16 dB |
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技术参数/测试电流： | 50 mA |
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技术参数/额定电压： | 65 V |
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封装参数/安装方式： | Screw |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | M113 |
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外形尺寸/封装： | M113 |
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其他/产品生命周期： | Not Recommended for New Designs |
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其他/包装方式： | Box |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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M/A-Com | 功能相似 | Screw |
射频MOSFET功率晶体管， 5W ， 28V 2 - 175兆赫 RF MOSFET Power Transistor, 5W, 28V 2 - 175 MHz
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