技术参数/频率： | 100 MHz |
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技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/耗散功率： | 0.43 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 50 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 0.1A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 120 @1mA, 6V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 430 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 430 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-883-3 |
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外形尺寸/封装： | SOT-883-3 |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC847ALT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BC847ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE
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BC847C,215
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP BC847C,215 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE
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||
BC847CLT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BC847CLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE
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