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技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 400 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 1A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 10 @400mA, 5V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 2.1 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2100 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-226-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-226-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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BUJ100LR,126
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We En Semiconductor | 完全替代 | TO-226-3 |
SPT NPN 400V 1A
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