技术参数/额定电压(DC)： | 25.0 V |
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技术参数/额定电流： | 23.0 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 32.0 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 25 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 25.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 23.0 A |
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技术参数/上升时间： | 14.9 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 225pF @20V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.14 W |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/封装： | TO-251-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-251-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTD14N03R-1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-251-3 |
功率MOSFET 14安培， 25伏特N沟道DPAK Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N-Channel DPAK
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NTD14N03RT4G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-252-3 |
N 通道功率 MOSFET，25V，ON Semiconductor
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