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型号: MMBT2222AWT1
描述: 通用晶体管 General Purpose Transistor
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封 装: SC-70-3
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC):

40.0 V

 

技术参数/额定电流:

600 mA

 

技术参数/极性:

NPN

 

技术参数/耗散功率:

150 mW

 

技术参数/增益频宽积:

300 MHz

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

40 V

 

技术参数/集电极最大允许电流:

0.6A

 

技术参数/最小电流放大倍数(hFE):

100 @150mA, 10V

 

技术参数/额定功率(Max):

150 mW

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

150 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

SC-70-3

 

外形尺寸/长度:

2.1 mm

 

外形尺寸/宽度:

1.24 mm

 

外形尺寸/高度:

0.85 mm

 

外形尺寸/封装:

SC-70-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Obsolete

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Contains Lead

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
MMBT2907 MMBT2907 SLKOR (韩国萨科微) 功能相似 SOT-23-3
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
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MMBT2907 MMBT2907 Freescale (飞思卡尔) 功能相似
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
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MMBT2907 MMBT2907 CJ (长电科技) 功能相似 SOT-23-3
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
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MMST2222A-7-F MMST2222A-7-F Diodes (美台) 功能相似 SOT-323
MMST2222A 系列 40 V 200 mW NPN 小信号 表面贴装 晶体管 - SOT-323-3
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MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G ON Semiconductor (安森美) 类似代替 SC-70-3
NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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MMBT2907 MMBT2907 Motorola (摩托罗拉) 功能相似 CASE 318-08
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
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