技术参数/电源电压(DC)： | 5.00 V, 5.50 V (max) |
|
技术参数/针脚数： | 32 |
|
技术参数/时钟频率： | 120 GHz |
|
技术参数/存取时间： | 120 ns |
|
技术参数/内存容量： | 125000 B |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 70 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | 0 ℃ |
|
技术参数/电源电压： | 4.5V ~ 5.5V |
|
技术参数/电源电压(Max)： | 5.5 V |
|
技术参数/电源电压(Min)： | 4.5 V |
|
封装参数/安装方式： | Through Hole |
|
封装参数/引脚数： | 32 |
|
封装参数/封装： | DIP-32 |
|
外形尺寸/长度： | 43.69 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 18.8 mm |
|
外形尺寸/高度： | 9.4 mm |
|
外形尺寸/封装： | DIP-32 |
|
物理参数/工作温度： | 0℃ ~ 70℃ (TA) |
|
其他/产品生命周期： | Unknown |
|
其他/包装方式： | Each |
|
其他/制造应用： | Embedded Design & Development |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
DS1245Y-100+
|
Maxim Integrated (美信) | 类似代替 | DIP-32 |
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-100+ 芯片, 存储器, NVRAM
|
||
DS1245Y-120
|
Maxim Integrated (美信) | 完全替代 | DIP-32 |
IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32DIP
|
||
DS1245Y-120
|
Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) | 完全替代 | DIP |
IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32DIP
|
||
DS1245Y-70+
|
Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) | 类似代替 | DIP |
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-70+ 芯片, 存储器, NVSRAM, 1024KB, 128KX8, 32EDIP
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价