温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
收藏
型号: SPW20N60C3
描述: INFINEON SPW20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
商品二维码
封 装: TO-247-3
货 期:
包装方式: Tube
标准包装数: 1
7.41  元 7.41元
10-99:
¥ 8.8920
100-499:
¥ 8.4474
500-999:
¥ 8.1510
1000-1999:
¥ 8.1362
2000-4999:
¥ 8.0769
5000-7499:
¥ 8.0028
7500-9999:
¥ 7.9435
≥10000:
¥ 7.9139
数量
10-99
100-499
500-999
1000-1999
2000-4999
价格
8.8920
8.4474
8.1510
8.1362
8.0769
价格 8.8920 8.4474 8.1510 8.1362 8.0769
起批量 10-99 100-499 500-999 1000-1999 2000-4999
  • 运费   有货 运费价格:¥13.00
  • 数量
    库存(9738) 起订量(10)
加入购物车 立即购买
欢迎使用亿配芯城AI助手
芯片AI助手  芯片AI顾问
相关文件下载:
PDF
  • 失望
  • 一般
  • 满意
  • 喜欢
  • 超爱

技术参数/额定电压(DC):

650 V

 

技术参数/额定电流:

20.7 A

 

技术参数/通道数:

1

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

190 mΩ

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

208 W

 

技术参数/阈值电压:

3 V

 

技术参数/输入电容:

2.40 nF

 

技术参数/栅电荷:

114 nC

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

650 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

600 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

20.7 A

 

技术参数/上升时间:

5 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

2400pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

208 W

 

技术参数/下降时间:

4.5 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

208W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-247-3

 

外形尺寸/长度:

16.13 mm

 

外形尺寸/宽度:

5.21 mm

 

外形尺寸/高度:

21.1 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-247-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

海关信息/香港进出口证:

NLR

 

最有帮助的评价

  只显示带图评价

最新评价

加载更多

暂时还没有评价

期待你分享科技带来的乐趣

提问
抱歉,没有找到答案,您可以点击“提问”提交此条提问给已经购买者、Suteshop商城官方客服和产品经理,我们会及时回复。

暂时还没有提问

对商品还不太了解,问问看吧

加载更多
    暂无数据

©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号

Scroll

对比栏

展开

对比

清空