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型号: FQP50N06L
描述: QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
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技术参数/额定电压(DC):

60.0 V

 

技术参数/额定电流:

52.4 A

 

技术参数/通道数:

1

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.017 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

121 W

 

技术参数/阈值电压:

2.5 V

 

技术参数/输入电容:

1.25 nF

 

技术参数/栅电荷:

24.5 nC

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

60 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

60.0 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

±20.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

52.0 A

 

技术参数/上升时间:

380 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1630pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

121 W

 

技术参数/下降时间:

145 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

121 W

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.1 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.7 mm

 

外形尺寸/高度:

9.4 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

其他/制造应用:

Power Management, Lighting, Motor Drive & Control, Audio

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99