技术参数/工作电压： | 900 mV |
|
技术参数/针脚数： | 3 |
|
技术参数/耗散功率： | 265 mW |
|
技术参数/钳位电压： | 25 V |
|
技术参数/最大反向击穿电压： | 18.9 V |
|
技术参数/最小反向击穿电压： | 17.1 V |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | SOT-23 |
|
外形尺寸/封装： | SOT-23 |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
|
其他/制造应用： | 成像, 便携式器材, 消费电子产品, 音频, 车用, 视频和目视, 计算机和计算机周边 |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/REACH SVHC版本： | 2014/12/17 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMBZ18VAL,215
|
Nexperia (安世) | 完全替代 | SOT-23-3 |
ESD Suppressor TVS 30kV 3Pin TO-236AB T/R
|
||
|
|
Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 | 3 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 14.5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236AB, PLASTIC, 318, 3 PIN
|
||
|
|
Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | CASE 318-08 |
On Semiconductor 共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏
|
||
MMBZ20VALT1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
On Semiconductor 共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏
|
||
|
|
Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 |
On Semiconductor 共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价