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描述: 功率MOSFET的30 V , 171 A单N沟道, SO- 8 FL Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N−Channel, SO−8 FL
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封 装: SO-FL-8
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/通道数:

1

 

技术参数/漏源极电阻:

2 mΩ

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

96.2 W

 

技术参数/阈值电压:

1.5V ~ 2.5V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

30 V

 

技术参数/上升时间:

24 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

5660pF @15V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

13 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

950mW (Ta), 96.2W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

5

 

封装参数/封装:

SO-FL-8

 

外形尺寸/封装:

SO-FL-8

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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