我国三维闪存芯片技术实现跨越式发展

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7 月 3 日,北京大学 2025 年研究生毕业典礼上,长江存储首席科学家霍宗亮作为校友代表发言,分享了我国存储芯片技术的突破之路。

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霍宗亮是北大计算机科学技术系 1994 级本科、2000 级博士校友。他在发言中强调,北大人应 "选择与国家同行,与民族命运共命运",投身国家需要的产业。他坦言,毕业时存储产业并非热门,但坚信其战略价值,团队沉下心 "不害怕坐冷板凳",在自主研发道路上默默奋斗。

" 在长江存储的十来年里,我们团队卧薪尝胆、披荆斩棘,让我国三维闪存芯片技术从无到有、从落后到赶超,实现跨越式发展。" 霍宗亮的话语掷地有声。

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公开资料显示,长江存储成立于 2016 年 7 月,专注3D NAND 闪存及存储器解决方案。2021 年推出零售品牌致态,2020 年 4 月发布的第三代 TLC/QLC 产品中,X2-6070 型号作为首款第三代 QLC 闪存,曾创下业界最高 I/O 速度、存储密度和单颗容量纪录。

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