在 DRAM 市场的激烈竞争中，三星电子曾因 AI 半导体高带宽内存（HBM）领域的挑战，在第一季度被 SK 海力士超越，痛失市场领导地位 。如今，三星正全力反击，凭借下一代 DRAM 良率的大幅提升，强势回归战场 。
良率飞跃，技术突破显著
据业内消息，三星电子上个月对 10nm 级第六代 DRAM 晶圆进行性能测试，良率达到了惊人的 50 - 70% 。相比去年不足 30% 的良率，实现了质的飞跃 。这一进步得益于三星研发团队的结构创新，通过重新设计，有效提升了芯片效率与生产力 。
大胆决策，量产计划重启
三星原计划于去年年底量产 10nm 级第六代 DRAM，但为追求更高性能，毅然选择重新设计芯片，这一决策导致量产延迟超一年 。如今良率提升，三星迅速行动，积极投资建设量产线，一旦今年最终测试完成，将即刻投入生产 。
工厂分工，产能布局明确
三星平泽工厂 4 号 DRAM 生产线将生产供应移动设备（LPDDR）和服务器应用的产品 。而用于 HBM4 的 10nm 级第六代 DRAM 生产设施，则位于平泽工厂 3 号 。业内人士分析，移动 / 服务器 DRAM 与 HBM 的存储单元核心结构相似，此次 10nm 级第六代 DRAM 的进展，将对 HBM4 的量产产生积极影响 ，三星有望加大对平泽 3 号工厂 HBM4 工艺的投资 。
DRAM 市场风云变幻，三星在技术突破下加速前行。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注行业动态，为您带来最新资讯 。
