技术登顶：关键指标碾压国际对手
6月5日，上海交大无锡光子芯片研究院（CHIPX）下线国内首片6英寸薄膜铌酸锂晶圆，同步量产的高性能调制器芯片创三项全球纪录：调制带宽110GHz（突破光互连带宽瓶颈）、波导损耗＜0.2dB/cm（传输效率提升300%）、电光转换效率1.9V·cm（功耗直降40%）26。此前该领域被Lumentum、II-VI等美企垄断，此次突破标志中国光电子器件实现从“跟跑”到“领跑”的跨越。
量产破局：中试线年产能12000片
依托110台国际顶级CMOS设备构建的全闭环产线，CHIPX打通纳米级光刻-刻蚀-封装工艺链，攻克薄膜铌酸锂脆性大、均匀性差等难题。单晶圆可切割350颗芯片，达产后年产能达1.2万片，满足50万台AI服务器光模块需求。相较传统硅光芯片，薄膜铌酸锂调制器速度提升10倍，将成为超算中心、6G基站核心引擎。
工艺革命：深紫外光刻攻克纳米精度
团队以深紫外（DUV）光刻+步进式曝光组合工艺，实现三大突破：
✅ 110nm波导刻蚀精度（较行业平均提升50%）
✅ 6英寸晶圆跨尺度电极集成（解决材料碎裂风险）
✅ 全流程良率超95%（达台积电CoWoS封装水平）
该工艺使我国首次掌握晶圆级光子集成核心技术，摆脱实验室成果难量产困境。
生态开放：PDK工具包三季度发布
为加速产业转化，CHIPX将于Q3开放PDK工艺设计包，集成电光调制器、波导阵列等核心模型，提供多物理场仿真模块。企业可借此完成“设计-流片-量产”全流程闭环，研发周期缩短70%。目前华为、中兴等企业已接入中试线，联合开发1.6T光通信模块。
千亿场景：量子计算与AI算力双轮驱动
薄膜铌酸锂芯片凭超低延迟+高并行性优势，正重构两大领域：
⚡️ 量子计算：单光子调控精度突破99.9%，为容错量子计算机奠基
⚡️ AI算力：光计算芯片替代GPU部分单元，大模型训练能效比提升10倍
无锡市已启动“光子芯谷”建设，目标2028年形成千亿级产业集群。
此次国内光子芯片中试线的重大突破，对我国芯片产业意义深远。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注行业动态，为您带来最新资讯 。
