型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 1700V 110A 625W Module59851+￥773.193610+￥746.064050+￥742.6728100+￥739.2816150+￥733.8557250+￥729.1080500+￥724.36031000+￥718.9344 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT功率模块（单联开关与断路器二极管包括快速续流二极管） IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes)55641+￥492.119510+￥479.281650+￥469.4392100+￥466.0158200+￥463.4482500+￥460.02481000+￥457.88512000+￥455.7455 -
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品类: IGBT晶体管描述:87091+￥853.301410+￥823.361050+￥819.6185100+￥815.8759150+￥809.8878250+￥804.6483500+￥799.40871000+￥793.4206 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。99271+￥456.607510+￥444.696050+￥435.5639100+￥432.3875200+￥430.0052500+￥426.82881000+￥424.84352000+￥422.8583 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 3Pin(2+Tab) TO-26331085+￥14.706950+￥14.0784200+￥13.7264500+￥13.63851000+￥13.55052500+￥13.44995000+￥13.38717500+￥13.3242 -
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品类: IGBT晶体管描述: 在NPT技术的快速IGBT具有柔软，快速恢复反并联二极管EMCON Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode618710+￥8.5800100+￥8.1510500+￥7.86501000+￥7.85072000+￥7.79355000+￥7.72207500+￥7.664810000+￥7.6362 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 139000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube80755+￥14.484650+￥13.8656200+￥13.5190500+￥13.43231000+￥13.34562500+￥13.24665000+￥13.18477500+￥13.1228 -
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品类: IGBT晶体管描述: 降压斩波NPT IGBT功率模块 Buck Chopper NPT IGBT Power Module63731+￥687.876010+￥663.740050+￥660.7230100+￥657.7060150+￥652.8788250+￥648.6550500+￥644.43121000+￥639.6040 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 9.4A 3Pin(3+Tab) TO-220AB938310+￥8.7240100+￥8.2878500+￥7.99701000+￥7.98252000+￥7.92435000+￥7.85167500+￥7.793410000+￥7.7644 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON SKW20N60FKSA1 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 179 W, 600 V, TO-247, 3 引脚34021+￥235.083010+￥228.950450+￥224.2487100+￥222.6134200+￥221.3869500+￥219.75151000+￥218.72942000+￥217.7073 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 9.4A 3Pin(2+Tab) TO-26321481+￥73.071010+￥69.8940100+￥69.3221250+￥68.8774500+￥68.17841000+￥67.86072500+￥67.41595000+￥67.0347 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 30000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube151010+￥6.5640100+￥6.2358500+￥6.01701000+￥6.00612000+￥5.96235000+￥5.90767500+￥5.863810000+￥5.8420 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3Pin(2+Tab) TO-263554010+￥7.7760100+￥7.3872500+￥7.12801000+￥7.11502000+￥7.06325000+￥6.99847500+￥6.946610000+￥6.9206 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin(2+Tab) TO-26328585+￥11.735150+￥11.2336200+￥10.9528500+￥10.88261000+￥10.81232500+￥10.73215000+￥10.68207500+￥10.6318 -
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品类: IGBT晶体管描述: 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 ％，相比上一代 High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation6738 -
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品类: IGBT晶体管描述: 降压斩波沟道+场站IGBT®电源模块 Buck chopper Trench + Field Stop IGBT® Power Module26331+￥348.059010+￥338.979250+￥332.0180100+￥329.5967200+￥327.7808500+￥325.35951000+￥323.84622000+￥322.3329 -
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品类: IGBT晶体管描述: 降压斩波NPT IGBT功率模块 Buck Chopper NPT IGBT Power Module73751+￥897.955210+￥866.448050+￥862.5096100+￥858.5712150+￥852.2698250+￥846.7560500+￥841.24221000+￥834.9408 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON SGP02N120XKSA1 单晶体管, IGBT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-220, 3 引脚91165+￥21.563150+￥20.6416200+￥20.1256500+￥19.99661000+￥19.86752500+￥19.72015000+￥19.62807500+￥19.5358 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON SGW25N120FKSA1 单晶体管, IGBT, 46 A, 3.1 V, 313 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚34955+￥32.596250+￥31.2032200+￥30.4231500+￥30.22811000+￥30.03312500+￥29.81025000+￥29.67097500+￥29.5316 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220 Rail724110+￥9.9360100+￥9.4392500+￥9.10801000+￥9.09142000+￥9.02525000+￥8.94247500+￥8.876210000+￥8.8430 -
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。52715+￥20.615450+￥19.7344200+￥19.2410500+￥19.11771000+￥18.99442500+￥18.85345000+￥18.76537500+￥18.6772 -
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品类: IGBT晶体管描述: INT-A-PAK52041+￥1370.644010+￥1358.183625+￥1351.953450+￥1345.7232100+￥1339.4930150+￥1333.2628250+￥1327.0326500+￥1320.8024 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 139000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube473710+￥9.1560100+￥8.6982500+￥8.39301000+￥8.37772000+￥8.31675000+￥8.24047500+￥8.179410000+￥8.1488 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 179000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube668810+￥11.0760100+￥10.5222500+￥10.15301000+￥10.13452000+￥10.06075000+￥9.96847500+￥9.894610000+￥9.8576 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 Discrete Hi-P IGBT56791+￥42.114410+￥39.6980100+￥37.9030250+￥37.6268500+￥37.35061000+￥37.04002500+￥36.76385000+￥36.5912
