型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R48945-24￥4.090525-49￥3.787550-99￥3.5754100-499￥3.4845500-2499￥3.42392500-4999￥3.34825000-9999￥3.3179≥10000￥3.2724 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET958010-99￥10.3080100-499￥9.7926500-999￥9.44901000-1999￥9.43182000-4999￥9.36315000-7499￥9.27727500-9999￥9.2085≥10000￥9.1741 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 30V 32A 7Pin Direct-FET MT T/R86115-49￥15.397250-199￥14.7392200-499￥14.3707500-999￥14.27861000-2499￥14.18652500-4999￥14.08125000-7499￥14.0154≥7500￥13.9496 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能75481-9￥69.943010-99￥66.9020100-249￥66.3546250-499￥65.9289500-999￥65.25991000-2499￥64.95582500-4999￥64.5300≥5000￥64.1651 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能79145-24￥6.048025-49￥5.600050-99￥5.2864100-499￥5.1520500-2499￥5.06242500-4999￥4.95045000-9999￥4.9056≥10000￥4.8384 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能47495-24￥4.509025-49￥4.175050-99￥3.9412100-499￥3.8410500-2499￥3.77422500-4999￥3.69075000-9999￥3.6573≥10000￥3.6072 -
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品类: IGBT晶体管描述: 20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT49775-49￥29.565950-199￥28.3024200-499￥27.5948500-999￥27.41801000-2499￥27.24112500-4999￥27.03895000-7499￥26.9126≥7500￥26.7862 -
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品类: MOS管描述: RU1C002ZP 系列 20 V 200 mA 1.2 Ohm 硅 表面贴装 P-沟道 Mosfet - UMT-3F326120-49￥0.202550-99￥0.1875100-299￥0.1800300-499￥0.1740500-999￥0.16951000-4999￥0.16655000-9999￥0.1635≥10000￥0.1605 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET，60V 至 80V，Nexperia ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors96505-49￥20.018750-199￥19.1632200-499￥18.6841500-999￥18.56441000-2499￥18.44462500-4999￥18.30775000-7499￥18.2222≥7500￥18.1366 -
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品类: 双极性晶体管描述: Diodes Inc ### 晶体管，Diodes Inc217620-49￥0.459050-99￥0.4250100-299￥0.4080300-499￥0.3944500-999￥0.38421000-4999￥0.37745000-9999￥0.3706≥10000￥0.3638 -
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品类: 双极性晶体管描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO896220-49￥0.121550-99￥0.1125100-299￥0.1080300-499￥0.1044500-999￥0.10171000-4999￥0.09995000-9999￥0.0981≥10000￥0.0963 -
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品类: 双极性晶体管描述: PNP 晶体管，高达 1.5A，Diodes Inc ### 双极晶体管，Diodes Inc ### 晶体管，Diodes Inc131710-49￥1.174550-99￥1.1136100-299￥1.0701300-499￥1.0440500-999￥1.01791000-2499￥0.99182500-4999￥0.9527≥5000￥0.9440 -
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品类: 双极性晶体管描述: NPN 晶体管，超过 1.5A，Diodes Inc ### 双极晶体管，Diodes Inc ### 晶体管，Diodes Inc346210-99￥6.0120100-499￥5.7114500-999￥5.51101000-1999￥5.50102000-4999￥5.46095000-7499￥5.41087500-9999￥5.3707≥10000￥5.3507 -
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品类: MOS管描述: N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc ### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.43285-24￥4.144525-49￥3.837550-99￥3.6226100-499￥3.5305500-2499￥3.46912500-4999￥3.39245000-9999￥3.3617≥10000￥3.3156 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。39265-24￥4.131025-49￥3.825050-99￥3.6108100-499￥3.5190500-2499￥3.45782500-4999￥3.38135000-9999￥3.3507≥10000￥3.3048 -
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品类: MOS管描述: P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics181910-99￥6.0960100-499￥5.7912500-999￥5.58801000-1999￥5.57782000-4999￥5.53725000-7499￥5.48647500-9999￥5.4458≥10000￥5.4254 -
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品类: MOS管描述: N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics58965-49￥20.767550-199￥19.8800200-499￥19.3830500-999￥19.25881000-2499￥19.13452500-4999￥18.99255000-7499￥18.9038≥7500￥18.8150 -
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品类: MOS管描述: N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics31381-9￥42.931810-99￥40.4685100-249￥38.6386250-499￥38.3571500-999￥38.07561000-2499￥37.75892500-4999￥37.4774≥5000￥37.3014 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STD3NK80Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.25 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V78895-24￥2.322025-49￥2.150050-99￥2.0296100-499￥1.9780500-2499￥1.94362500-4999￥1.90065000-9999￥1.8834≥10000￥1.8576 -
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品类: MOS管描述: 二极管与整流器49405-24￥1.417525-49￥1.312550-99￥1.2390100-499￥1.2075500-2499￥1.18652500-4999￥1.16035000-9999￥1.1498≥10000￥1.1340 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -60 V, 0.2 ohm, -10 V, -3 V286620-49￥0.594050-99￥0.5500100-299￥0.5280300-499￥0.5104500-999￥0.49721000-4999￥0.48845000-9999￥0.4796≥10000￥0.4708 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPW65R019C7 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 A, 650 V, 0.017 ohm, 10 V, 3.5 V89081-9￥114.689510-99￥109.7030100-249￥108.8054250-499￥108.1073500-999￥107.01031000-2499￥106.51162500-4999￥105.8135≥5000￥105.2152 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。98725-24￥2.808025-49￥2.600050-99￥2.4544100-499￥2.3920500-2499￥2.35042500-4999￥2.29845000-9999￥2.2776≥10000￥2.2464 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。66325-49￥26.044250-199￥24.9312200-499￥24.3079500-999￥24.15211000-2499￥23.99632500-4999￥23.81825000-7499￥23.7069≥7500￥23.5956 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8320LDC, 192 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装65085-49￥13.887950-199￥13.2944200-499￥12.9620500-999￥12.87901000-2499￥12.79592500-4999￥12.70095000-7499￥12.6416≥7500￥12.5822 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 141A Automotive 3Pin TO-220 Tube43121-9￥38.918010-99￥36.6850100-249￥35.0262250-499￥34.7710500-999￥34.51581000-2499￥34.22872500-4999￥33.9735≥5000￥33.8140 -
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品类: 双极性晶体管描述: 优秀的hFE线性度，补充了2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 Excellent hFE linearity, Complements the 2SC2412K / 2SC4081 /2SC4617 / 2SC5658184320-49￥0.135050-99￥0.1250100-299￥0.1200300-499￥0.1160500-999￥0.11301000-4999￥0.11105000-9999￥0.1090≥10000￥0.1070 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW10NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V358910-99￥7.8840100-499￥7.4898500-999￥7.22701000-1999￥7.21392000-4999￥7.16135000-7499￥7.09567500-9999￥7.0430≥10000￥7.0168 -
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品类: MOS管描述: STW10N95K5 系列 950 V 0.8 Ohm 法兰安装 N 沟道 功率 Mosfet - TO-24792185-49￥19.854950-199￥19.0064200-499￥18.5312500-999￥18.41251000-2499￥18.29372500-4999￥18.15795000-7499￥18.0731≥7500￥17.9882
