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资料
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品类: MOS管描述: 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3458620-49¥0.472550-99¥0.4375100-299¥0.4200300-499¥0.4060500-999¥0.39551000-4999¥0.38855000-9999¥0.3815≥10000¥0.3745
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品类: MOS管描述: INFINEON BSS84PH6327XTSA2 晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 5.8 ohm, -10 V, -1.5 V746620-49¥0.229550-99¥0.2125100-299¥0.2040300-499¥0.1972500-999¥0.19211000-4999¥0.18875000-9999¥0.1853≥10000¥0.1819
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品类: MOS管描述: INFINEON BSP135H6327XTSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V23535-24¥5.008525-49¥4.637550-99¥4.3778100-499¥4.2665500-2499¥4.19232500-4999¥4.09965000-9999¥4.0625≥10000¥4.0068
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品类: MOS管描述: INFINEON BSS127H6327XTSA2 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3453220-49¥0.418550-99¥0.3875100-299¥0.3720300-499¥0.3596500-999¥0.35031000-4999¥0.34415000-9999¥0.3379≥10000¥0.3317
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC010N04LSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V540710-99¥8.1240100-499¥7.7178500-999¥7.44701000-1999¥7.43352000-4999¥7.37935000-7499¥7.31167500-9999¥7.2574≥10000¥7.2304
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC014N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.8 V509410-99¥11.3880100-499¥10.8186500-999¥10.43901000-1999¥10.42002000-4999¥10.34415000-7499¥10.24927500-9999¥10.1733≥10000¥10.1353
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品类: 双极性晶体管描述: BCR146 系列 NPN 50 V 70 mA 表面贴装 硅 数字 晶体管 - SOT-23-3135220-49¥0.270050-99¥0.2500100-299¥0.2400300-499¥0.2320500-999¥0.22601000-4999¥0.22205000-9999¥0.2180≥10000¥0.2140
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品类: 双极性晶体管描述: INFINEON BFR193E6327HTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE550720-49¥0.661550-99¥0.6125100-299¥0.5880300-499¥0.5684500-999¥0.55371000-4999¥0.54395000-9999¥0.5341≥10000¥0.5243
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品类: 双极性晶体管描述: BCW68 系列 PNP 45 V 800 mA 表面贴装 硅 AF 晶体管 - SOT-23-3170720-49¥0.310550-99¥0.2875100-299¥0.2760300-499¥0.2668500-999¥0.25991000-4999¥0.25535000-9999¥0.2507≥10000¥0.2461
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品类: 双极性晶体管描述: Infineon BCR512E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装372810-49¥0.810050-99¥0.7680100-299¥0.7380300-499¥0.7200500-999¥0.70201000-2499¥0.68402500-4999¥0.6570≥5000¥0.6510
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,2 个装,Fuji Electric V - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 S - 系列,第 4 代 NPT IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。13361-9¥1632.158010-24¥1617.320225-49¥1609.901350-99¥1602.4824100-149¥1595.0635150-249¥1587.6446250-499¥1580.2257≥500¥1572.8068
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品类: 双极性晶体管描述: 七达林顿阵列 Seven Darlington array322710-49¥0.904550-99¥0.8576100-299¥0.8241300-499¥0.8040500-999¥0.78391000-2499¥0.76382500-4999¥0.7337≥5000¥0.7270
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品类: MOS管描述: VISHAY SUM90P10-19L-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 90A TO-26327695-49¥14.332550-199¥13.7200200-499¥13.3770500-999¥13.29131000-2499¥13.20552500-4999¥13.10755000-7499¥13.0463≥7500¥12.9850
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品类: MOS管描述: P通道40 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 40-V (D-S) MOSFET65645-49¥14.414450-199¥13.7984200-499¥13.4534500-999¥13.36721000-2499¥13.28102500-4999¥13.18245000-7499¥13.1208≥7500¥13.0592
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品类: MOS管描述: VISHAY SUM110N10-09-E3. 场效应管, N通道, MOSFET, 100V, 110A TO-26340705-49¥13.618850-199¥13.0368200-499¥12.7109500-999¥12.62941000-2499¥12.54792500-4999¥12.45485000-7499¥12.3966≥7500¥12.3384
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品类: MOS管描述: P通道80 -V ( D- S) 175℃ MOSFET P-Channel 80-V (D-S) 175 °C MOSFET20675-49¥23.692550-199¥22.6800200-499¥22.1130500-999¥21.97131000-2499¥21.82952500-4999¥21.66755000-7499¥21.5663≥7500¥21.4650
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品类: MOS管描述: TRANSISTOR 50A, 60V, 0.015Ω, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power865210-99¥10.6320100-499¥10.1004500-999¥9.74601000-1999¥9.72832000-4999¥9.65745000-7499¥9.56887500-9999¥9.4979≥10000¥9.4625
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3Pin(2+Tab) DPAK27405-49¥17.199050-199¥16.4640200-499¥16.0524500-999¥15.94951000-2499¥15.84662500-4999¥15.72905000-7499¥15.6555≥7500¥15.5820
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品类: MOS管描述: VISHAY SUD19P06-60-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.3 A, -60 V, 0.048 ohm, -10 V, -3 V68575-24¥4.009525-49¥3.712550-99¥3.5046100-499¥3.4155500-2499¥3.35612500-4999¥3.28195000-9999¥3.2522≥10000¥3.2076
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品类: IGBT晶体管描述: SLLIMM™ 智能电源模块,STMicroelectronics 通过引入第二个 SLLIMM 智能电源模块系列,STMicroelectronics 扩展了 IGBT 智能电源模块的功能。 由于具有最佳传导和转换能量平衡,结合了出色的坚固性和 EMI 行为,它们可提高电动机驱动器应用的效率,使其工作高达 20 kHz。 它们提供完全模制或基于 DBC 的封装,具有较高的电极电流。 小型低损耗智能模制模块 (SLLIMM™) 可提高家用电器电动机驱动器的效率。 智能电源模块 (IPMS) 可在低电压微控制器和电源供电电动机之间提供直接连接。 三相 IGBT 反相器桥接,包括用于栅极驱动的控制 IC 和续流二极管 175°C 最大工作接点温度 600V,额定值从 8A 到 35A 直流(25°C 时) 低 VCE(sat) 具有市场上最低的 Rth 值,用于 DBC 封装型号 隔离额定值为 1500 Vrms/min 经优化的驱动器和硅,提供低 EMI 单独的开路发射器输出 3.3V、5V、15V CMOS/TTL 输入 欠压锁定 内部限幅二极管 联锁功能 智能关闭功能 比较器,用于防止过热和过电流故障 ### 电动机控制器和驱动器,STMicroelectronics70651-9¥43.944410-99¥41.4230100-249¥39.5500250-499¥39.2618500-999¥38.97361000-2499¥38.64952500-4999¥38.3613≥5000¥38.1812
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品类: MOS管描述: PowerPAK® 1212-8P-CH 30V 16A 60mΩ82695-24¥3.577525-49¥3.312550-99¥3.1270100-499¥3.0475500-2499¥2.99452500-4999¥2.92835000-9999¥2.9018≥10000¥2.8620
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品类: MOS管描述: VISHAY SQJ469EP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -32 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -2 V28455-49¥12.320150-199¥11.7936200-499¥11.4988500-999¥11.42511000-2499¥11.35132500-4999¥11.26715000-7499¥11.2145≥7500¥11.1618
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH 40V 30A 5Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R27355-49¥13.712450-199¥13.1264200-499¥12.7982500-999¥12.71621000-2499¥12.63422500-4999¥12.54045000-7499¥12.4818≥7500¥12.4232
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品类: MOS管描述: SQJ431EP 系列 200 V 0.213 Ohms P-沟道 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8L577710-99¥6.8160100-499¥6.4752500-999¥6.24801000-1999¥6.23662000-4999¥6.19125000-7499¥6.13447500-9999¥6.0890≥10000¥6.0662
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V176110-99¥8.4600100-499¥8.0370500-999¥7.75501000-1999¥7.74092000-4999¥7.68455000-7499¥7.61407500-9999¥7.5576≥10000¥7.5294
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor 来自 Vishay Semiconductor 的**SQ** 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。 ### SQ 坚固系列 MOSFET 的优点 符合 AEC-Q101 标准 接点温度高达 +175°C 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术 创新型节省空间封装选项 ### 认可 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor48595-24¥4.860025-49¥4.500050-99¥4.2480100-499¥4.1400500-2499¥4.06802500-4999¥3.97805000-9999¥3.9420≥10000¥3.8880
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品类: MOS管描述: SOIC P-CH 60V 8A626110-99¥6.8520100-499¥6.5094500-999¥6.28101000-1999¥6.26962000-4999¥6.22395000-7499¥6.16687500-9999¥6.1211≥10000¥6.0983
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 40V 20.7A 8Pin SOIC N T/R28545-49¥13.490150-199¥12.9136200-499¥12.5908500-999¥12.51011000-2499¥12.42932500-4999¥12.33715000-7499¥12.2795≥7500¥12.2218
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品类: MOS管描述: MOSFET P-CH 40V 17.3A173610-99¥11.7000100-499¥11.1150500-999¥10.72501000-1999¥10.70552000-4999¥10.62755000-7499¥10.53007500-9999¥10.4520≥10000¥10.4130
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品类: MOS管描述: TSOP P-CH 60V 5.3A26565-24¥1.863025-49¥1.725050-99¥1.6284100-499¥1.5870500-2499¥1.55942500-4999¥1.52495000-9999¥1.5111≥10000¥1.4904