型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGR4045DTRPBF 单晶体管, IGBT, N通道, 12 A, 1.7 V, 77 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚 新7859 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC608710-99￥7.8720100-499￥7.4784500-999￥7.21601000-1999￥7.20292000-4999￥7.15045000-7499￥7.08487500-9999￥7.0323≥10000￥7.0061 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK71401-9￥56.034610-99￥52.8195100-249￥50.4311250-499￥50.0637500-999￥49.69631000-2499￥49.28292500-4999￥48.9155≥5000￥48.6858 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube802310-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 高达 20A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。56165-24￥4.198525-49￥3.887550-99￥3.6698100-499￥3.5765500-2499￥3.51432500-4999￥3.43665000-9999￥3.4055≥10000￥3.3588 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET70815-24￥3.766525-49￥3.487550-99￥3.2922100-499￥3.2085500-2499￥3.15272500-4999￥3.08305000-9999￥3.0551≥10000￥3.0132 -
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品类: MOS管描述: P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor49595-24￥5.683525-49￥5.262550-99￥4.9678100-499￥4.8415500-2499￥4.75732500-4999￥4.65215000-9999￥4.6100≥10000￥4.5468 -
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品类: MOS管描述: Mosfet n-Channel 400V59535-49￥34.070450-199￥32.6144200-499￥31.7990500-999￥31.59521000-2499￥31.39142500-4999￥31.15845000-7499￥31.0128≥7500￥30.8672 -
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品类: MOS管描述: N沟道,600V,6.2A,1.2Ω@10V847610-99￥9.2520100-499￥8.7894500-999￥8.48101000-1999￥8.46562000-4999￥8.40395000-7499￥8.32687500-9999￥8.2651≥10000￥8.2343
