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型号/品牌/封装

品类/描述

库存

价格(含税)

资料

型号: FQD17P06TM

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD17P06TM, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

5649

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型号: FQPF16N25C

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-220-3

品类: MOS管

描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF16N25C, 15.6 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装

6979

10+

￥11.0040

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￥10.4538

500+

￥10.0870

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￥10.0687

2000+

￥9.9953

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￥9.9036

7500+

￥9.8302

10000+

￥9.7936

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型号: FQD2N60CTM

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V

1847

10+

￥8.7120

100+

￥8.2764

500+

￥7.9860

1000+

￥7.9715

2000+

￥7.9134

5000+

￥7.8408

7500+

￥7.7827

10000+

￥7.7537

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型号: FQD2N100TM

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

6192

5+

￥2.3085

25+

￥2.1375

50+

￥2.0178

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￥1.9665

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￥1.9323

2500+

￥1.8896

5000+

￥1.8725

10000+

￥1.8468

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型号: FQPF19N20C

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-220-3

品类: MOS管

描述: QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

5070

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型号: FQPF10N20C

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-220-3

品类: MOS管

描述: QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

8169

5+

￥5.3460

25+

￥4.9500

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￥4.6728

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￥4.5540

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￥4.4748

2500+

￥4.3758

5000+

￥4.3362

10000+

￥4.2768

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型号: FQB33N10TM

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB33N10TM, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

6718

5+

￥6.1965

25+

￥5.7375

50+

￥5.4162

100+

￥5.2785

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￥5.1867

2500+

￥5.0720

5000+

￥5.0261

10000+

￥4.9572

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型号: FQD1N60CTM

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD1N60CTM, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

8791

5+

￥3.6990

25+

￥3.4250

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￥3.2332

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￥3.1510

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￥3.0962

2500+

￥3.0277

5000+

￥3.0003

10000+

￥2.9592

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型号: FQD13N10TM

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-252-3

品类: MOS管

描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD13N10TM, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

2706

5+

￥3.4155

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￥3.1625

50+

￥2.9854

100+

￥2.9095

500+

￥2.8589

2500+

￥2.7957

5000+

￥2.7704

10000+

￥2.7324

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型号: FQB44N10TM

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB44N10TM, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

5982

10+

￥8.8680

100+

￥8.4246

500+

￥8.1290

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￥8.1142

2000+

￥8.0551

5000+

￥7.9812

7500+

￥7.9221

10000+

￥7.8925

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型号: FQB50N06TM

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB50N06TM, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

3777

5+

￥4.9140

25+

￥4.5500

50+

￥4.2952

100+

￥4.1860

500+

￥4.1132

2500+

￥4.0222

5000+

￥3.9858

10000+

￥3.9312

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型号: FQB47P06TM

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

1088

5+

￥6.4125

25+

￥5.9375

50+

￥5.6050

100+

￥5.4625

500+

￥5.3675

2500+

￥5.2488

5000+

￥5.2013

10000+

￥5.1300

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型号: FP75R12KE3

品牌: Eupec

封装: EconoPIM-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT - Module

4617

1+

￥1328.7450

10+

￥1316.6655

25+

￥1310.6258

50+

￥1304.5860

100+

￥1298.5463

150+

￥1292.5065

250+

￥1286.4668

500+

￥1280.4270

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型号: FMMT6520TA

品牌: Diodes (美台)

封装: SOT-23-3

品类: 双极性晶体管

描述: FMMT6520TA 编带

5557

10+

￥0.7020

50+

￥0.6656

100+

￥0.6396

300+

￥0.6240

500+

￥0.6084

1000+

￥0.5928

2500+

￥0.5694

5000+

￥0.5642

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型号: FMMT549ATA

品牌: Diodes (美台)

封装: SOT-23-3

品类: 双极性晶体管

描述: 三极管(BJT) FMMT549ATA SOT-23

8458

10+

￥0.9045

50+

￥0.8576

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￥0.8241

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￥0.8040

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￥0.7839

1000+

￥0.7638

2500+

￥0.7337

5000+

￥0.7270

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型号: FGA30S120P

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

9433

10+

￥8.7480

100+

￥8.3106

500+

￥8.0190

1000+

￥8.0044

2000+

￥7.9461

5000+

￥7.8732

7500+

￥7.8149

10000+

￥7.7857

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型号: FDP036N10A

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-220-3

品类: MOS管

描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP036N10A, 214 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装

3989

5+

￥28.1268

50+

￥26.9248

200+

￥26.2517

500+

￥26.0834

1000+

￥25.9151

2500+

￥25.7228

5000+

￥25.6026

7500+

￥25.4824

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型号: FDPF5N50FT

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-220-3

品类: MOS管

描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

4157

5+

￥5.8590

25+

￥5.4250

50+

￥5.1212

100+

￥4.9910

500+

￥4.9042

2500+

￥4.7957

5000+

￥4.7523

10000+

￥4.6872

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型号: FFH60UP60S

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-247-2

品类: TVS二极管

描述: 标准恢复二极管, 600 V, 60 A, 单, 1.7 V, 80 ns, 600 A

4887

10+

￥8.7120

100+

￥8.2764

500+

￥7.9860

1000+

￥7.9715

2000+

￥7.9134

5000+

￥7.8408

7500+

￥7.7827

10000+

￥7.7537

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型号: FDPC5018SG

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: Power-56-8

品类: MOS管

描述: Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8Pin Power 56 EP T/R

5851

5+

￥5.9940

25+

￥5.5500

50+

￥5.2392

100+

￥5.1060

500+

￥5.0172

2500+

￥4.9062

5000+

￥4.8618

10000+

￥4.7952

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型号: FDMS4435BZ

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: Power 56

品类: MOS管

描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMS4435BZ, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装

2612

5+

￥5.7105

25+

￥5.2875

50+

￥4.9914

100+

￥4.8645

500+

￥4.7799

2500+

￥4.6742

5000+

￥4.6319

10000+

￥4.5684

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型号: FDMS86520L

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: Power-56-8

品类: MOS管

描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86520L 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.0067 ohm, 10 V, 1.8 V

6916

5+

￥6.5745

25+

￥6.0875

50+

￥5.7466

100+

￥5.6005

500+

￥5.5031

2500+

￥5.3814

5000+

￥5.3327

10000+

￥5.2596

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型号: FDP12N50NZ

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-220-3

品类: MOS管

描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

9193

10+

￥8.7120

100+

￥8.2764

500+

￥7.9860

1000+

￥7.9715

2000+

￥7.9134

5000+

￥7.8408

7500+

￥7.7827

10000+

￥7.7537

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型号: FDMS86500L

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: Power-56-8

品类: MOS管

描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86500L 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.8 V

3845

10+

￥8.1480

100+

￥7.7406

500+

￥7.4690

1000+

￥7.4554

2000+

￥7.4011

5000+

￥7.3332

7500+

￥7.2789

10000+

￥7.2517

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型号: FDMS86163P

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: QFN

品类: MOS管

描述: PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

5266

10+

￥7.5960

100+

￥7.2162

500+

￥6.9630

1000+

￥6.9503

2000+

￥6.8997

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￥6.8364

7500+

￥6.7858

10000+

￥6.7604

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型号: FDMS86103L

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: Power 56

品类: MOS管

描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

4781

5+

￥5.3730

25+

￥4.9750

50+

￥4.6964

100+

￥4.5770

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￥4.4974

2500+

￥4.3979

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￥4.3581

10000+

￥4.2984

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型号: FDMS7660AS

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: PQFN-8

品类: MOS管

描述: FDMS7660AS: N 沟道，PowerTrench SyncFET，30V，42A，2.4mΩ

8998

10+

￥6.6480

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￥6.3156

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￥6.0940

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￥6.0829

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￥6.0386

5000+

￥5.9832

7500+

￥5.9389

10000+

￥5.9167

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型号: FDMS0312AS

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: PowerTDFN-8

品类: MOS管

描述: MOSFET N-CH 30V 18A PT8

5372

5+

￥2.2680

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￥2.1000

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￥1.9824

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￥1.9320

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￥1.8984

2500+

￥1.8564

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￥1.8396

10000+

￥1.8144

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型号: FDMD82100L

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: PowerWDFN-12

品类: MOS管

描述: Trans MOSFET N-CH 100V 24A 12Pin PQFN T/R

2300

10+

￥10.6560

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￥10.1232

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￥9.7680

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￥9.6792

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￥9.5904

7500+

￥9.5194

10000+

￥9.4838

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型号: FDMC86520L

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: Power-33-8

品类: MOS管

描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

2748

10+

￥7.8360

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￥7.4442

500+

￥7.1830

1000+

￥7.1699

2000+

￥7.1177

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