型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube86765-49￥17.912750-199￥17.1472200-499￥16.7185500-999￥16.61141000-2499￥16.50422500-4999￥16.38175000-7499￥16.3052≥7500￥16.2286 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU13N10LTU 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 2 V97255-24￥2.943025-49￥2.725050-99￥2.5724100-499￥2.5070500-2499￥2.46342500-4999￥2.40895000-9999￥2.3871≥10000￥2.3544 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF850N80Z, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装504210-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500DC, 108 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装67635-24￥5.278525-49￥4.887550-99￥4.6138100-499￥4.4965500-2499￥4.41832500-4999￥4.32065000-9999￥4.2815≥10000￥4.2228 -
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品类: MOS管描述: SupreMOS® MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。50661-9￥53.814210-99￥50.7265100-249￥48.4328250-499￥48.0799500-999￥47.72701000-2499￥47.33002500-4999￥46.9772≥5000￥46.7566 -
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品类: 二极管阵列描述: 10A ， 200V超快整流器双 10A, 200V Ultrafast Dual Rectifiers58005-24￥4.846525-49￥4.487550-99￥4.2362100-499￥4.1285500-2499￥4.05672500-4999￥3.96705000-9999￥3.9311≥10000￥3.8772 -
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品类: 双极性晶体管描述: NPN 晶体管，ROHM ### Digital Transistors, ROHM Resistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.674320-49￥0.094550-99￥0.0875100-299￥0.0840300-499￥0.0812500-999￥0.07911000-4999￥0.07775000-9999￥0.0763≥10000￥0.0749 -
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品类: 双极性晶体管描述: DTC043ZMT2L 编带825020-49￥0.108050-99￥0.1000100-299￥0.0960300-499￥0.0928500-999￥0.09041000-4999￥0.08885000-9999￥0.0872≥10000￥0.0856 -
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品类: 双极性晶体管描述: 双电阻器数字 NPN 晶体管，ROHM ### Digital Transistors, ROHM Resistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.516920-49￥0.094550-99￥0.0875100-299￥0.0840300-499￥0.0812500-999￥0.07911000-4999￥0.07775000-9999￥0.0763≥10000￥0.0749 -
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品类: 齐纳二极管描述: ROHM EDZVT2R6.2B 单管二极管 齐纳, 外延平面, 6.2 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C 新241220-49￥0.094550-99￥0.0875100-299￥0.0840300-499￥0.0812500-999￥0.07911000-4999￥0.07775000-9999￥0.0763≥10000￥0.0749 -
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品类: TVS二极管描述: 双通道数据线保护 TVS 二极管阵列，Diodes Inc ### 瞬态电压抑制器，Diodes Inc770620-49￥0.459050-99￥0.4250100-299￥0.4080300-499￥0.3944500-999￥0.38421000-4999￥0.37745000-9999￥0.3706≥10000￥0.3638 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC010NE2LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2 V52155-24￥5.967025-49￥5.525050-99￥5.2156100-499￥5.0830500-2499￥4.99462500-4999￥4.88415000-9999￥4.8399≥10000￥4.7736 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC024NE2LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V55155-24￥4.968025-49￥4.600050-99￥4.3424100-499￥4.2320500-2499￥4.15842500-4999￥4.06645000-9999￥4.0296≥10000￥3.9744 -
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品类: MOS管描述: N沟道 70mA 600V844320-49￥0.567050-99￥0.5250100-299￥0.5040300-499￥0.4872500-999￥0.47461000-4999￥0.46625000-9999￥0.4578≥10000￥0.4494 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC014N06NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.8 V63895-24￥5.440525-49￥5.037550-99￥4.7554100-499￥4.6345500-2499￥4.55392500-4999￥4.45325000-9999￥4.4129≥10000￥4.3524 -
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品类: MOS管描述: Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS138P,215, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装494020-49￥0.108050-99￥0.1000100-299￥0.0960300-499￥0.0928500-999￥0.09041000-4999￥0.08885000-9999￥0.0872≥10000￥0.0856 -
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品类: 双极性晶体管描述: BC847 系列 45 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SOT-323307520-49￥0.054050-99￥0.0500100-299￥0.0480300-499￥0.0464500-999￥0.04521000-4999￥0.04445000-9999￥0.0436≥10000￥0.0428 -
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品类: TVS二极管描述: 1SS400SM 系列 80 V 100 mA 表面贴装 开关二极管 - SOD-523578720-49￥0.067550-99￥0.0625100-299￥0.0600300-499￥0.0580500-999￥0.05651000-4999￥0.05555000-9999￥0.0545≥10000￥0.0535 -
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品类: MOS管描述: N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc ### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.26525-24￥2.160025-49￥2.000050-99￥1.8880100-499￥1.8400500-2499￥1.80802500-4999￥1.76805000-9999￥1.7520≥10000￥1.7280 -
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品类: TVS二极管描述: TVS二极管, TPSMA6L Series, 单向, 28 V, 45.4 V, DO-221AC, 2 引脚770410-49￥0.675050-99￥0.6400100-299￥0.6150300-499￥0.6000500-999￥0.58501000-2499￥0.57002500-4999￥0.5475≥5000￥0.5425 -
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品类: MOS管描述: 场效应管(MOSFET) TN2130K1-G SOT-23-366855-24￥3.604525-49￥3.337550-99￥3.1506100-499￥3.0705500-2499￥3.01712500-4999￥2.95045000-9999￥2.9237≥10000￥2.8836 -
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品类: SCR晶闸管描述: Thyristor SCR 600V 126A 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube91855-24￥4.050025-49￥3.750050-99￥3.5400100-499￥3.4500500-2499￥3.39002500-4999￥3.31505000-9999￥3.2850≥10000￥3.2400 -
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品类: 齐纳二极管描述: ROHM TFZVTR5.6B 单管二极管 齐纳, 5.6 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C 新787820-49￥0.162050-99￥0.1500100-299￥0.1440300-499￥0.1392500-999￥0.13561000-4999￥0.13325000-9999￥0.1308≥10000￥0.1284 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba89255-49￥19.597550-199￥18.7600200-499￥18.2910500-999￥18.17381000-2499￥18.05652500-4999￥17.92255000-7499￥17.8388≥7500￥17.7550 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics24341-9￥59.706810-99￥56.2810100-249￥53.7361250-499￥53.3446500-999￥52.95311000-2499￥52.51262500-4999￥52.1211≥5000￥51.8764 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics27511-9￥58.059810-99￥54.7285100-249￥52.2538250-499￥51.8731500-999￥51.49241000-2499￥51.06412500-4999￥50.6834≥5000￥50.4454 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics16941-9￥44.310410-99￥41.7680100-249￥39.8794250-499￥39.5888500-999￥39.29821000-2499￥38.97142500-4999￥38.6808≥5000￥38.4992 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics10565-49￥34.889450-199￥33.3984200-499￥32.5634500-999￥32.35471000-2499￥32.14602500-4999￥31.90745000-7499￥31.7583≥7500￥31.6092
